曾投放存储器研发生产，但却负于成本高昂而解散存储器市场的台积电，居然再次投放存储器产业。是什么样的技术，不但更有台积电再度投放这块市场，更加让三星、英特尔、格罗方德都早已摩拳擦掌投放，准备好一较高下了？这个让半导体巨头争相投放的技术就是被称作新世代存储器的MRAM和RRAM。MRAM和RRAM的特性为何，与DRAM、NAND（快闪存储器）比起，又有什么样的效能与成本优势？让我们从MRAM和RRAM两项技术看起。什么是新世代存储器？MRAM（MagnetoresistiveRandomAccessMemory，磁阻式随机存取存储器）是一种非挥发性存储器技术，也就是当电流开动，所储存的资料并会消失的存储器。

它自1990年代开始发展，这项技术在学理上的存取速度相似SRAM，不具快闪存储器的非挥发性特性，在容量密度及使用寿命上也不输给DRAM，平均值能耗近高于DRAM，未来极具沦为确实通用型存储器潜力。而RRAM（Resistiverandom-accessmemory，可变电阻式存储器）某种程度是一种新型的非挥发性存储器，其优点在于消耗电力较NAND较低，且载入资讯速度比NAND快闪存储器慢了1万倍。从阶层式存储器的金字塔图来看，SRAM坐落于金字塔尖端，为最低末端、速度最慢，成本也最低的产品。其次为主存储器的DRAM，MRAM次于DRAM，而RRAM则接续其后，在RRAM之下的是NAND，从此图可以显现出MRAM与RRAM的市场定位也正是介于DRAM与NAND之间。

高速运算、数据中心、物联网唤起新世代存储器高度市场需求事实上，MRAM与RRAM技术并非近年来的产物，早在1990年代，就有厂商开始投放研发，而促成新世代存储器发展在近年来遮住曙光的原因，正是转入高速运算时代，存储器技术演变速度经常出现跟上系统效能演变速度所造成。随着数据的产生速度大大减缓，对存储器的市场需求也飞速茁壮。从对DRAM的高速运算市场需求来看，在高速运算下，存储器（DRAM）与CPU间的频宽，日渐沦为运算瓶颈，为解决问题上述瓶颈，HBM、TSV、offload运算加速器沦为产业研发的焦点。

此外，DRAM也面对了摩尔定律发展下去的容许，说明了半导体巨擘们要大力投放新世代存储器研发生产的原因。另一方面，SSD数据中心存储的高速IOPS市场需求也是业界的众多焦点，除了资料中心的高速IOPS市场需求外，信赖度、能耗也是最重要的指标，NAND本身跑到TLC虽然在价格上有优势，但却面对产品信赖度好转的状况，目前以Page式的载入方式，让载入沦为IOPS的主要瓶颈。

此外，在数据传输速度拒绝更加高下，为了保证数据的正确性，SSDController须内辟高速的Buffer，然而不论是用DRAM或是SRAM皆必须额外获取电源以确保供电出现异常下的长时间发展。在这个前提下，新世代存储器也沦为产业期盼能提高NAND问题的关键技术。除了高速运算与数据中心的储存市场需求以外，物联网物端必须的非挥发性存储器，也就是即时资料储存市场需求，牵涉到物联网必须低能耗、数据耐久度低、每次载入或存储的资料单位小等层面。而这三项特色造成NAND的不适合，目前更好的解决方案是使用嵌入式存储器（EmbeddedMemory）。

不过，就目前嵌入式存储器的发展来看，其制作流程、闲置面积皆仍有持续变革的空间，因此也沦为新世代存储器技术的另一个紧贴的面向。嵌入式产品效能更胜一筹，台积电也没有缺席尽管新世代存储器未来未来将会代替部分DRAM与NAND的市场，而沦为业界注目的明日之星，然而，台积电新的跨进存储器产业，他着眼的并非将存储器当作分开的产品贩售，而是瞄准嵌入式存储器市场。台积电瞄准的嵌入式存储器产品，可以说道是新世代存储器另一个转变产业形貌的最重要路线。从目前的应用于上来看，在工业、车用MCU或是物联网IC的应用于中，新世代存储器有机会利用其能耗展现出欠佳、闲置面积小、放挥发性、读取速度快、操作者电压较低、减少的制程复杂度低等优势，更进一步减少其在嵌入式市场的渗透率。

此外，嵌入式产品在效能展现出上，也有望低于过去的off-chip产品，对于看起来台积电、联电、格罗方德等晶圆代工厂来说，获取嵌入式存储器产品，除能扩展产品线与获取客户更好的反对外，并能当作未来逻辑IC与存储器在系统架构上更进一步融合的前置布局。然而，对于三星等既有存储器厂商而言，新世代存储器的发展毫无疑问带给发展的契机，但能预期的是，未来的竞争态势也将更加白热化。

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